Avago 拥有大量的硅双级射频晶体管和 GaAs FET 产品。

GaAs FET RF 晶体管是基站 LNA 第一或第二阶段的理想选择，因为它将低噪声系数和增强的线性进行了完美结合。

Avago 的双极 RF 晶体管具有极高性能，该性能经过优化后可在极低电压操作下提供最大的单位增益频率，这使得它们在无线市场成为以电池供电的应用程序的最理想选择。

Avago 的 GaAs FET 采用 PHEMT 技术制成并使用反向偏置肖特基势垒栅。这些设备具有高线性和 PAE、高增益和低噪声的组合特征。使用 PHEMT 技术的 

GaAs FET 设备适合在无线 LAN 和其他需要低噪声系数的系统上使用。

VMMK-1225 0.5 到 26 GHz 低噪声 E-pHEMT（晶片级封装）  

VMMK-1218 0.5 到 18 GHz 低噪声 E-pHEMT（晶片级封装）  

ATF-58143 SC-70 下单电压 E-pHEMT 低噪声 30.5 dBm OIP3  

ATF-551M4 MiniPak 下单电压 E-pHEMT 低电流噪声 24 dBm OIP3  

ATF-55143 SC-70 下单电压 E-pHEMT 低电流低噪声 24.2 dBm OIP3  

ATF-541M4 MiniPak 下单电压 E-pHEMT 低噪声 36 dBm OIP3  

ATF-54143 SC-70 下单电压 E-pHEMT 低噪声 36 dBm OIP3  

ATF-531P8 单电压 E-pHEMT 低噪声 38 dBm OIP3 采用 LPCC 封装  

ATF-53189 SOT-89 封装下单电压 E-pHEMT 低噪声 40dBm OIP3  

ATF-521P8 单电压 E-pHEMT 低噪声 42 dBm OIP3 采用 LPCC 封装  

ATF-52189 SOT-89 封装下单电压 E-pHEMT 低噪声 42 dBm OIP3  

ATF-511P8 LPCC 下单电压 E-pHEMT 低噪声 41.7 dBm OIP3  

ATF-501P8 单电压 E-pHEMLPCC 下单电压 E-pHEMT 低噪声 45.5 dBm OIP3  

ATF-50189 SOT-89 封装下单电压 E-pHEMT 低噪声 45 dBm OIP3  

ATF-38143 SC-70 (SOT-343) 低噪声 22 dBm OIP3  

ATF-36163 SC-70 (SOT-363) 低噪声高频率 pHEMT 5dBm P1dB  

ATF-35143 表面贴装塑料封装下的低噪声假象 HEMT  

ATF-34143 SC-70 (SOT-343) 低噪声 31.5 dBm OIP3  

ATF-331M4 MiniPak 下 pHEMT 低噪声 31 dBm OIP3  

ATF-33143 SC-70 (SOT-343) 低噪声 31.5 dBm OIP3

所有的 Avago Technologies 硅晶体管都是双级 NPN 平面型外延晶体管。都是最适宜低电流低电压工作的高性能晶体管，是应用于无线通信领域的理想产品。

AT-64000 多达 4GHz 线性功率硅双极晶体管芯片  

AT-42000-GP4 通用晶体管  

AT-41533 通用晶体管  

AT-41532 通用晶体管  

AT-41511 通用晶体管  

AT-41500-GP4 低噪声硅双级晶体管芯片  

AT-32063 用于电池操作的微电流晶体管  

AT-32033 用于电池操作的微电流晶体管  

AT-32032 用于电池操作的微电流晶体管  

AT-32011 用于电池操作的微电流晶体管  

AT-31033 用于电池操作的微电流晶体管  

AT-31011 用于电池操作的微电流晶体管  

AT-30533 用于电池操作的微电流晶体管  

AT-30511 用于电池操作的微电流晶体管

想了解更多安华高晶体管相关的产品用途、技术文档、解决方案吗?那就赶紧与安华高代理商取得联系吧！